Новости

Основы работы лазерных режущих станков

Основы работы лазерных режущих станков

Лазеры впервые начали применяться для резки уже в 1970-х годах. Когда сфокусированный лазерный луч попадает на заготовку, область облучения быстро нагревается до температуры плавления или испарения...

Ключевые параметры лазерной системы

Ключевые параметры лазерной системы

В различных областях применения – от обработки материалов и лазерной хирургии до дистанционного зондирования – используются универсальные лазерные системы. Однако у многих из них есть общие ключевы...

Технология лазерной очистки и её применение в области финишной обработки

Технология лазерной очистки и её применение в области финишной обработки

В связи с стремительным развитием электромобилей во всём мире резко возрос спрос на литиевые батареи — один из ключевых компонентов. Это привело к появлению новых задач и вызовов в процессах изгото...

С 2024 по 2029 год совокупный среднегодовой темп роста рынка лазерной очистки достигнет 14,61%.

С 2024 по 2029 год совокупный среднегодовой темп роста рынка лазерной очистки достигнет 14,61%.

Рисунок 1: Объем мирового рынка лазерной очистки. Лазерная технология очистки — это передовой промышленный метод, основанный на взаимодействии лазерного излучения с веществом для очистки поверхност...

Технологические параметры и показатели производительности лазерной резки

Технологические параметры и показатели производительности лазерной резки

Лазерная резка — это хорошо известная технология обработки, использующая лазерный луч высокой плотности энергии для точного раскроя материалов. Она широко применяется для обработки как металлически...

Как правильно использовать газ при лазерном сваривании

Как правильно использовать газ при лазерном сваривании

1.Роль защитного газа В лазерном сваривании защитный газ влияет на форму, качество, глубину проникновения и ширину сварного шва. В большинстве случаев подача защитного газа оказывает положительное ...

<<<123456>>> 5 / 6
Главная
Продукция
О Нас
Контакты

Пожалуйста, оставьте нам сообщение

Политика конфиденциальности

Спасибо за использование этого сайта (далее — «мы», «нас» или «наш»). Мы уважаем ваши права и интересы на личную информацию, соблюдаем принципы законности, легитимности, необходимости и целостности, а также защищаем вашу информационную безопасность. Эта политика описывает, как мы обрабатываем вашу личную информацию.

1. Сбор информации
Информация, которую вы предоставляете добровольно: например, имя, номер мобильного телефона, адрес электронной почты и т.д., заполнена при регистрации. Автоматически собирается информация, такая как модель устройства, тип браузера, журналы доступа, IP-адрес и т.д., для оптимизации сервиса и безопасности.

2. Использование информации
предоставлять, поддерживать и оптимизировать услуги веб-сайтов;
верификацию счетов, защиту безопасности и предотвращение мошенничества;
Отправляйте необходимую информацию, такую как уведомления о сервисах и обновления политик;
Соблюдайте законы, нормативные акты и соответствующие нормативные требования.

3. Защита и обмен информацией
Мы используем меры безопасности, такие как шифрование и контроль доступа, чтобы защитить вашу информацию и храним её только на минимальный срок, необходимый для выполнения задачи.
Не продавайте и не сдавайте личную информацию третьим лицам без вашего согласия; Делитесь только если:
Получите своё явное разрешение;
третьим лицам, которым доверено предоставлять услуги (с учётом обязательств по конфиденциальности);
Отвечать на юридические запросы или защищать законные интересы.

4. Ваши права
Вы имеете право на доступ, исправление и дополнение вашей личной информации, а также можете подать заявление на аннулирование аккаунта (после отмены информация будет удалена или анонимизирована согласно правилам). Чтобы реализовать свои права, вы можете связаться с нами, используя контактные данные, указанные ниже.

5. Обновления политики
Любые изменения в этой политике будут уведомлены путем публикации на сайте. Ваше дальнейшее использование услуг означает ваше согласие с изменёнными правилами.